Версия для печати
Технические характеристики 7914G-1-000E

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	7914
Каналы	SPST-NO
Switch Function	Off-Mom
Contact Rating @ Voltage	0.1A @ 24VAC/DC
Actuator Type	Standard
Тип монтажа	Поверхностный
Orientation	Vertical
Outline	5.00mm x 5.00mm
Illumination	Non-Illuminated
Operating Force	300gf

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Кнопки, переключатели

 » 

Чувствительные переключатели

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AGILENT TECHNOLOGIES
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AGILENT TECHNOLOGIES
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO TECHNOLOGIES	2 132
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	Avago Technologies US Inc
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	BRO/AVAG
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	BROADCOM	9 913	10.89
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	BROADCOM/AVAGO
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO/BROAD
		HSMG-C170		Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled	AVAGO/BROADCOM	33	12.40
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	3 890	11.59
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		Д901А				204	5.55
		Д901А			ХЕРСОН	72	31.50
		Д901А			ДНЕПР
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		165 776	5.55
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ315В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный		32 475	1.85
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМН
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМНИЙ
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	ТОМСК	833	2.10

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"