Версия для печати
Технические характеристики 7914G-1-000E

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	7914
Каналы	SPST-NO
Switch Function	Off-Mom
Contact Rating @ Voltage	0.1A @ 24VAC/DC
Actuator Type	Standard
Тип монтажа	Поверхностный
Orientation	Vertical
Outline	5.00mm x 5.00mm
Illumination	Non-Illuminated
Operating Force	300gf

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Кнопки, переключатели

 » 

Чувствительные переключатели

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	MICRO CHIP	2 806	29.96
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	MICRO CHIP
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	Microchip Technology
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)		5 539	25.01
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	ТАИЛАНД
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	1
		MCP1700T-3302E/TT		CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	34
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	125	12.37
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	BM	98	277.50
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом		4 100	37.03
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	KLS
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	AMTEK
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	RUICHI	6 923	34.13
		SMA-JR		Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом	КИТАЙ
		Д901А				200	5.55
		Д901А			ХЕРСОН	46	31.80
		Д901А			ДНЕПР
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный		30 400	2.77
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМН
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМНИЙ
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	ТОМСК	629	2.12
		КТ361В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	787

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"