| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3329H-1-103LF |
|
Резистор подстроечный, однообор, регулировка сверху, Тип монт. выв., R =10kOm, Точ, % ...
|
BOURNS
|
3 850
|
92.19
|
|
|
|
3329H-1-103LF |
|
Резистор подстроечный, однообор, регулировка сверху, Тип монт. выв., R =10kOm, Точ, % ...
|
|
|
|
|
|
|
3329H-1-103LF |
|
Резистор подстроечный, однообор, регулировка сверху, Тип монт. выв., R =10kOm, Точ, % ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3329H-1-103LF |
|
Резистор подстроечный, однообор, регулировка сверху, Тип монт. выв., R =10kOm, Точ, % ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
3329H-1-103LF |
|
Резистор подстроечный, однообор, регулировка сверху, Тип монт. выв., R =10kOm, Точ, % ...
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
|
AD8370AREZ |
|
Дифф.усил. с цифр. перестр. коэф.усил, -11..+17 или 6..34дБ, 750МГц, 1.9нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8370AREZ |
|
Дифф.усил. с цифр. перестр. коэф.усил, -11..+17 или 6..34дБ, 750МГц, 1.9нВ/VГц, ...
|
|
|
1 540.00
|
|
|
|
|
AD8370AREZ |
|
Дифф.усил. с цифр. перестр. коэф.усил, -11..+17 или 6..34дБ, 750МГц, 1.9нВ/VГц, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8370AREZ |
|
Дифф.усил. с цифр. перестр. коэф.усил, -11..+17 или 6..34дБ, 750МГц, 1.9нВ/VГц, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD8370AREZ |
|
Дифф.усил. с цифр. перестр. коэф.усил, -11..+17 или 6..34дБ, 750МГц, 1.9нВ/VГц, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
246
|
|
|
|
|
|
CERCAP 270p/50V 0805 JNPO |
|
Керамический конденсатор 270 пФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
113
|
12.81
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
T491B107K006AT |
|
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
|
T491B107K006AT |
|
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
T491B107K006AT |
|
|
KEMET
|
1 142
|
|
|
|
|
|
T491B107K006AT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
T491B107K006AT |
|
|
KEM
|
|
|
|
|
|
|
T491B107K006AT |
|
|
KEMET/YAGEO
|
|
|
|