MCP1700T-3302E/TT


CН ``low-drop`` с низким потреблен (Vo=3.3:Vi=2,3.6V:Io=0,25A:tol>0.4%:t=-40.+125C)

Купить MCP1700T-3302E/TT по цене 29.96 руб.  (без НДС 20%)
MCP1700T-3302E/TT
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MCP1700T-3302E/TT (MICRO CHIP) 2 646 29.96 
MCP1700T-3302E/TT 5 531 25.01 
MCP1700T-3302E/TT (4-7 НЕДЕЛЬ) 34 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MCP1700T-3302E/TT

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Топология регулятораPositive Fixed
Напряжение выходное3.3V
Напряжение входноеUp to 6V
Напряжение - падение (Typ.)0.178V @ 250mA
Число регуляторов1
Ток выходной250mA (Min)
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  0805-NP0-1000PF 1% 50V Керамический конденсатор 1000пФ, 50 В, 1%, 0805, NP0   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  0805-NP0-1000PF 1% 50V Керамический конденсатор 1000пФ, 50 В, 1%, 0805, NP0     Заказ радиодеталей 6.48 
LQH32MN2R2K23L Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц   MUR 8 864 5.51 
LQH32MN2R2K23L Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц     Заказ радиодеталей цена радиодетали
LQH32MN2R2K23L Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц   Murata Electronics North America Заказ радиодеталей цена радиодетали
LQH32MN2R2K23L Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц   MURATA 3 6.20 
    MAX3221ECPW       Заказ радиодеталей 167.40 
    MAX3221ECPW     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MAX3221ECPW     TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MAX3221ECPW     4-7 НЕДЕЛЬ 384 цена радиодетали
    Д901А       200 5.55 
    Д901А     ХЕРСОН 46 31.80 
    Д901А     ДНЕПР Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ361В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный     29 960 2.77 
КТ361В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный   КРЕМН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ361В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный   КРЕМНИЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ361В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный   ТОМСК 629 2.12 
КТ361В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный   787 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход