| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 607
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
12 561
|
1.29
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
433 944
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
571 320
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
96 936
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
120 844
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
120
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
149 609
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
197 439
|
1.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
99 983
|
1.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
61 271
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
759 682
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
330 360
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 378
|
1.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
2 020 733
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 388 407
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
216 344
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
104 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
16 342
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
15 744
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
4.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
232 028
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
|
30 430
|
3.41
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
HOTTECH
|
50 272
|
4.91
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
TRR
|
51 200
|
3.30
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
JSCJ
|
27 249
|
5.70
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
XSEMI
|
7 447
|
4.85
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
KEEN SIDE
|
3 120
|
2.87
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
143.64
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
|
4
|
160.02
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO TECH
|
1 680
|
89.89
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
269
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
28.35
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
ON SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
|
|
28.00
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
1
|
|
|
|
|
|
LM2903D |
|
Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
400
|
|
|