ILD217T
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс CTR >100% SO8
|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип выхода | Transistor |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Напряжение выходное | 70V |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 1mA |
| Тип входа | DC |
| Voltage - Isolation | 4000Vrms |
| Количество каналов | 2 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Transistor |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ILD2xxT Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package Также в этом файле: ILD217T
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CKX3-3.5-13 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ | 1 910 | 12.69 | ||||||
| CKX3-3.5-20 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
||||||
| NCP1450ASN33T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1450ASN33T1G |
|
42.56 | ||||||
| NCP1450ASN33T1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1450ASN33T1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 270 |
|
|||||
| PB22E07 БЕЗ ФИКСАЦИИ 7X7X12 MM | 6 481 | 7.03 | ||||||
| RS09-R-30 10K |
|
|
