IRLML5203


P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)

Купить IRLML5203 по цене 2.10 руб.  (без НДС 20%)
IRLML5203 Структура: P-FET Макс. рабочее напряжение: 30...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML5203 400 2.10 
IRLML5203 (HOTTECH) 24 468 2.41 
IRLML5203 (HUASHUO) 25 604 2.61 
IRLML5203 (YOUTAI) 34 369 1.65 
IRLML5203 (UMW) 12 800 3.10 
IRLML5203 (KUU) 4 002 2.16 
IRLML5203 (PLINGSEMIC) 13 700 2.15 
IRLML5203 (KEEN SIDE) 484 2.48 
IRLML5203TR (INFINEON) 1 20.98 
IRLML5203TR (TRR) 814 8.93 
IRLML5203TR (VBSEMI) 19 9.95 
IRLML5203TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 136 3-4 недели
Цена по запросу
IRLML5203TRPBF (INFINEON) 31 333 22.75 
IRLML5203TRPBF 6 751 9.55 
IRLML5203TRPBF (HOTTECH) 4 800 2.41 
IRLML5203TRPBF (KLS) 352 5.70 
IRLML5203TRPBF (TRR) 7 200 6.20 
IRLML5203TRPBF (TECH PUB) 120 7.05 

Структура: P-FET
Макс. рабочее напряжение: 30 В
Корпус: SOT-23-3
Максимальный ток: 3 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
Версия для печати

Технические характеристики IRLML5203

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs98 mOhm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLML5203

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLML5203 datasheet
139.62Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    AD7997BRU-0REEL     ANALOG DEVICES Заказ радиодеталей цена радиодетали
    AD7997BRU-0REEL     ANALOG DEVICES Заказ радиодеталей цена радиодетали
    AD7997BRU-0REEL     Analog Devices Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс     Заказ радиодеталей 8.28 
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   PHILIPS 41 цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEENSIDE Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   ASEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS216 Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс   KEEN SIDE 10 960 1.92 
>100 шт.   0.96 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А     40 600 2.92 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HOTTECH 285 928 2.68 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HUASHUO 13 074 8.07 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   YOUTAI 1 3.99 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   UMW 40 3.10 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   SUNTAN 12 424 5.48 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KEEN SIDE 8 812 2.29 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   2386 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KEXIN 7 200 2.91 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   RUME 91 200 3.28 
  RLB0914-470KL Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  RLB0914-470KL Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...     Заказ радиодеталей 75.20 
  RLB0914-470KL Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ...   ВОURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LTL Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)     Заказ радиодеталей 140.00 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   LITTELFUSE 1 цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   Littelfuse Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   TECH PUB 4 112 10.79 
SP0503BAHTG Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)   MSKSEMI 6 328 6.21 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход