ILD217T
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс CTR >100% SO8
|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип выхода | Transistor |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Напряжение выходное | 70V |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 1mA |
| Тип входа | DC |
| Voltage - Isolation | 4000Vrms |
| Количество каналов | 2 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Transistor |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ILD2xxT Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package Также в этом файле: ILD217T
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные | 1 | 14.30 | ||
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные | RUICHI |
|
|
|
|
|
|
16K1 F 10K |
|
Резисторы регулировочные однооборотные | КИТАЙ |
|
|
|
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 223 | 7.42 | |||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONS | 300 | 7.96 | |||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 |
|
|
||||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 48 |
|
|||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | LRC |
|
|
|||
| CKX3-3.5-09 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
||||||
| CKX3-3.5-13 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ | 1 846 | 12.90 | ||||||
| PB22E07 С ФИКСАЦИЕЙ 7X7X12 MM | 2 | 5.88 |
