| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 648
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
18 057
|
1.54
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 155
|
3.79
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
293 875
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
17 285
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.60
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
4 320
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
4 382
|
1.03
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
60 000
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
145 659
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
CTK
|
160
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEEN SIDE
|
600
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
MERRYELC
|
246 080
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE
|
1 900
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
2375
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
935
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
83
|
44.43
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
|
2 760
|
10.52
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
FULIHAO TECH
|
776
|
10.33
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TECH PUB
|
2 490
|
8.98
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
FULIHAO
|
1 322
|
7.60
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
286
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1
|
242.79
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
|
|
|
|