IRFB4020PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4020PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 50V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4020PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4020PBF datasheet
641.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRS2092S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRS2092S				988.00
IRS2092S		INFINEON
IRS2092S		4-7 НЕДЕЛЬ	113
IXGH60N60C2	600V 75A 300W	IXYS
IXGH60N60C2	600V 75A 300W
MUR120RLG		ON SEMICONDUCTOR	320	12.80
MUR120RLG				19.24
MUR120RLG		ONS	1	12.69
MUR120RLG		ON SEMICONDUCTOR	32
MUR120RLG		ON SEMIC
MUR120RLG		ON SEMICONDUCTO
MUR120RLG		ONSEMICONDUCTOR
SK063M2200B7F-1836	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В	YAGEO
SK063M2200B7F-1836	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK063M2200B7F-1836	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
К73-17-100-0.1 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В			8.48
К73-17-100-0.1 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В	SUNTAN
К73-17-100-0.1 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В	КИТАЙ