IRFB4020PBF


Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R

Купить IRFB4020PBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFB4020PBF
Версия для печати

Технические характеристики IRFB4020PBF

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1200pF @ 50V
Power - Max100W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4020PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4020PBF datasheet
641.8 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   DC COMPONENTS 35 858 1.27 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA     16 360 1.86 
>100 шт.   0.93 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   FAIRCHILD 6 433 цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   ONS-FAIR 87 456 1.67 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   JANGJIE Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   YANGJIE 48 000 1.48 
>100 шт.   0.74 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   HOTTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   JSCJ 35 900 1.28 
>100 шт.   0.64 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   YJ 16 373 1.38 
>100 шт.   0.69 
    1N4448WS Si-Diode 75V 150mA   SUNCO 20 622 1.36 
>100 шт.   0.68 
2SA1492 Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz   SANKEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SA1492 Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz   SK Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SA1492 Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz     456 64.13 
2SA1492 Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SA1492 Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz   ISCSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFI4212H-117P Hexfet power mosfets dual n-channel   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFI4212H-117P Hexfet power mosfets dual n-channel     Заказ радиодеталей 121.56 
IRFI4212H-117P Hexfet power mosfets dual n-channel   INFINEON 138 110.24 
IRFP4227PBF Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP4227PBF Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP4227PBF Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R   INFINEON 3 254.67 
IRFP4227PBF Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R     Заказ радиодеталей цена радиодетали
UCC2893PWG4   Texas Instruments Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход