IRFB4020PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4020PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 50V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4020PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4020PBF datasheet
641.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz	SANKEN
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz	SK
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz		456	64.13
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz	КИТАЙ
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz	ISCSEMI
IRFB5615		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB5615			1 520	47.38
IRFB5615		INFINEON
IRFB5615		EVVO	533	26.45
IRFP4227PBF	Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP4227PBF	Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP4227PBF	Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R	INFINEON	3	254.67
IRFP4227PBF	Транзистор N-Канальный 200V 65A 330W 0,025R
STP11NM60FD	N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	ST MICROELECTRONICS	1	293.17
STP11NM60FD	N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	STMicroelectronics
STP11NM60FD	N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)	ST MICROELECTRONICS SEMI	24
STP11NM60FD	N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
UCC2893PWG4		Texas Instruments