Версия для печати
Технические характеристики IRFPF40

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1600pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFPF40 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =2.5ohm, Id=4.7a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFPF40 datasheet 173.86Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	FAIR
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220			60.00
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	TOS
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	КИТАЙ
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	ISCSEMI
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	ISC
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOSHIBA
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W			283.20
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOS
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		5 709	1.54  >100 шт.   0.77
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	352	1.22  >100 шт.   0.61
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	JSMSEMI
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	KEEN SIDE	23 276	1.18  >100 шт.   0.59
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	3000
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	440
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	PWR
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт			192.00
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	Power Integrations
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	КИТАЙ
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	PI
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	632
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 116.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	100	1 306.70
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"