Версия для печати
Технические характеристики IRFPF40

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1600pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFPF40 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =2.5ohm, Id=4.7a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFPF40 datasheet 173.86Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOSHIBA
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W			283.20
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOS
		IRGP50B60PD1PBF		Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGP50B60PD1PBF		Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц
		IRGP50B60PD1PBF		Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц	INFINEON
		IRGP50B60PD1PBF		Модуль IGBT 600В 75A 390Вт 150кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	PWR
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт			192.00
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	Power Integrations
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	КИТАЙ
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	PI
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	632
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS	2	60.48
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om			100.00
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRONICS SEMI
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMicroelectronics
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	КИТАЙ
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	ST MICROELECTRO
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	STMICROELECTR
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	1
		VIPER22ADIP-E		ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om	4-7 НЕДЕЛЬ	333
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 116.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	100	1 306.70
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"