Версия для печати
Технические характеристики IRFPF40

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1600pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFPF40 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =2.5ohm, Id=4.7a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFPF40 datasheet 173.86Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOSHIBA
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W			283.20
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOS
		IRF830A		Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF830A		Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт			50.64
		IRF830A		Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт	VISHAY
		IRF830A		Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF830A		Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт	Vishay/Siliconix
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	SEMTECH
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A		11 520	1.83
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	GALAXY
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	КИТАЙ	266	12.49
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	YJ	480	3.10
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	MIC	11 514	1.50
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	GALAXY ME
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	YANGJIE	2 720	3.23
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	YANGJIE (YJ)
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	KEEN SIDE
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	PWR
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт			192.00
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	Power Integrations
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	КИТАЙ
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	PI
		TNY278GN		Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	632
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 093.12
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 110.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	100	1 547.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"