NCP1055ST100T3G
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
Корпус SOT-223 |
Версия для печати
| Корпус | SOT-223 |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Мощность (Ватт) | 40W |
| Напряжение выходное | 700V |
| Напряжение входное | 7.5 V ~ 10 V |
| Частотный диапозон | 84 ~ 107kHz |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZX84-C18 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84-C18 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX84-C18 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZX84-C18 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84-C18 | NXP | 516 |
|
||||
|
|
BZX84-C18 | PHILIPS | 256 |
|
||||
|
|
BZX84-C18 | PHILIPS SEMIC |
|
|
||||
|
|
BZX84-C18 |
|
|
|||||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ONS | 16 857 | 4.57 | |||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR | 2 988 |
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | 16 |
|
||||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| MMBTA06LT1G |
|
Транзистор | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| NCP1055P100G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1055P100G | 113 | 138.75 | ||||||
| NCP1055P100G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| NCP1055P100G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 67 |
|
|||||
| STD2NB80-1 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STD2NB80-1 |
|
114.40 | ||||||
| STD2NK90ZT4 | 525 | 76.05 | ||||||
| STD2NK90ZT4 | ST MICROELECTRONICS | 607 | 59.10 | |||||
| STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STD2NK90ZT4 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| STD2NK90ZT4 | ST MICROELECTRO |
|
|
