| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAT48 |
|
Диод Шоттки 40V 0,35A DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAT48 |
|
Диод Шоттки 40V 0,35A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BAT48 |
|
Диод Шоттки 40V 0,35A DO35
|
|
|
12.36
|
|
|
|
|
BAT48 |
|
Диод Шоттки 40V 0,35A DO35
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BAT48 |
|
Диод Шоттки 40V 0,35A DO35
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
63
|
|
|
|
|
|
IRFR3410TR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFR3410TR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFR3410TR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
|
24
|
65.60
|
|
|
|
IRLD110 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
RGP10J |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
RGP10J |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
RGP10J |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
RGP10J |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
RGP10J |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
5 141
|
|
|
|
|
|
RGP10J |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RGP10J |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
106
|
17.30
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
480
|
42.36
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|