|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
1 536
|
5.42
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 752
|
4.31
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
4 800
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
56 076
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.02
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
1.75
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
B57164K100K |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B57164K100K |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26C-TAP |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns
|
|
1 272
|
31.45
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
156
|
52.69
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
|
|
40.00
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
218
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
|
78 368
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
NXP
|
1 120
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
---
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
HOTTECH
|
102 829
|
1.05
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
KLS
|
102
|
1.34
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
LGE
|
10 400
|
2.07
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SUNTAN
|
77
|
1.76
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
SEMTECH
|
26
|
1.36
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
PANJIT
|
24
|
2.32
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
KOME
|
17
|
1.49
|
|
|
|
LL4448 |
|
Импульсный диод smd (Vr=75V, If=0.15A, Ifsm=2A@t=1us)
|
CTK
|
122 438
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|