Версия для печати
Технические характеристики W06M

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Peak Reverse (Max)	600V
Current - DC Forward (If)	1.5A
Diode Type	Single Phase
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	WOM-4
Корпус	WOM

AW0xM 1.5 AMP CONTROLLED AVALANCHE SILICON BRIDGE RECTIFIER Также в этом файле: AW06M Производитель: Fuji Electric //www.fujielectric.co.jp W06M datasheet 95.73Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		RB152			DC COMPONENTS
		RB152			Micro Commercial Co
		RB152
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	GOODWORK SEMICONDUCTER
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	DC COMPONENTS	9 907	13.84
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V			15.20
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	GALAXY
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	OTHER
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	КИТАЙ
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	MIC
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	KINGTRONICS
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	GALAXY ME
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	LGE	2	9.30
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	HOTTECH
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	KEEN SIDE	1 358	7.09
		W04M		Диодный мост 0,5A 400V	3

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	12 093	6.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	492	4.45
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		888	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	34	1.44  >100 шт.   0.72
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	2 272	1.11
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME
		BZV55-B2V4			PHILIPS
		BZV55-B2V4			NXP
		BZV55-B2V4			NXP	1 471
		BZV55-B2V4			PHILIPS	5 282
		ECAP 1000/16V 1016 105C RD		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С	SAMWHA
		ECAP 1000/16V 1016 105C RD		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С	JAMICON
		ECAP 1000/16V 1016 105C RD		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С			15.24
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ		710	37.20
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ЗПП
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ИНТЕГРАЛ	800	53.09
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	МИНСК
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ЗПП МИНСК
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	RUS
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	НАЛЬЧИК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		22 466	44.64
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 360	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"