| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BEL
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CDIL
|
293
|
54.91
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SOLITRON DEVICES INC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MICROSEMI CORP
|
5
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
|
88
|
55.50
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BHARAT
|
80
|
76.52
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SEMTECH
|
16
|
1.93
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HOTTECH
|
464
|
1.88
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HXY
|
1 013
|
1.10
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 343
|
2.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
14 685
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
847 617
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
449 159
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
220
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
30 166
|
1.17
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
4 800
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
93 195
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
121 729
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
246 960
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
132 000
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
L7805ABD2T |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
39.82
|
|
|
|
|
L7805ABD2T |
|
|
FULIHAO TECH
|
37
|
23.76
|
|
|
|
|
L7805ABD2T |
|
|
FULIHAO
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
768
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
|
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
STPS30H100CW |
|
Полупроводниковый компонент
|
STMICROELECTR
|
|
|
|