|   | 
 | 
 Версия для печати
Версия для печати
                        
                        
                    
                                | Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
| Серия | UltraFET™ | 
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 
| FET Feature | Standard | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 60A, 10V | 
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V | 
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A | 
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | 
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 85nC @ 20V | 
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | 
| Power - Max | 145W | 
| Тип монтажа | Выводной | 
| Корпус (размер) | TO-220-3 | 
| Корпус | TO-220AB | 
| HUF75332G3 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETsТакже в этом файле: HUF75332P3 
                                        Производитель: 
 | 
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   |   | BPW 34 |   | PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130° | OSRAM |   |   | |
|   |   | BPW 34 |   | PIN фотодиод 50мкA, прозрачный 130° |   |   | ||
| ECAP 100/400V 2225 105C HU5 |   | Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | HIT-AIC |   |   | |||
| HGTP5N120BND | FSC |   |   | |||||
| HGTP5N120BND | Fairchild Semiconductor |   |   | |||||
| HGTP5N120BND | 3 | 185.00 | ||||||
| HGTP5N120BND | FAIRCHILD |   |   | |||||
| UC3845AN | TEXAS INSTRUMENTS |   |   | |||||
| UC3845AN | STMicroelectronics |   |   | |||||
| UC3845AN |   | 479.40 | ||||||
| UC3845AN | ONS |   |   | |||||
| UC3845AN | TEXAS |   |   | |||||
| UC3845AN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 539 |   | |||||
| UF308GT/R | PANJIT |   |   | |||||
| UF308GT/R | PANJIT | 2 000 |   |