ECAP 100/400V 2225 105C HU5

Версия для печати

Технические характеристики ECAP 100/400V 2225 105C HU5

Производитель	Hitachi AIC Inc.
Количество в упаковке	300 шт.
Вес	15.300 г
Допуск емкости	±20%
Коротковременное перенапряжение	450
Номинальное напряжение	400 В
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.15
Эквивалентное последовательное сопротивление	890 мОм
Максимальный ток пульсаций	0.7 А
Срок службы	6000 Ч
Особенности	2-pin terminal
Размер корпуса	ф 22x25
Рабочая температура	-40...105 °C
Код производителя	HU52G101MRXS2
Емкость	100 мкФ
Серия	HU5
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%			60.00
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS Inc
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	КИТАЙ
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	TDK EPCOS
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	TDK-EPC
ECAP 220/400V 2250 LH	Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 400 В	YAGEO
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	FAIR
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	FAIRCHILD
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	FAIRCHILD
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	Fairchild Semiconductor
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	ONS
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	ON SEMICONDUCTOR	4	116.16
UC3845AN		TEXAS INSTRUMENTS
UC3845AN		STMicroelectronics
UC3845AN				479.40
UC3845AN		ONS
UC3845AN		TEXAS
UC3845AN		4-7 НЕДЕЛЬ	539
UF308GT/R		PANJIT
UF308GT/R		PANJIT	2 000