| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота | 315MHz, 433MHz, 868MHz, and 915MHz |
| Data Rate - Maximum | 500kBaud |
| Modulation or Protocol | 2-FSK, ASK, GFSK, MSK, OOK |
| Сфера применения | AMR, ISM, SRD |
| Power - Output | -30dBm ~ 10dBm |
| Sensitivity | -111dBm |
| Напряжение питания | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Current - Receiving | 17.1mA |
| Current - Transmitting | 32.3mA @ 10dBm |
| Интерфейс подключения | PCB, Surface Mount |
| Antenna Connector | PCB, Surface Mount |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 20-VFQFN Exposed Pad |
| Frequency | 315MHz, 433MHz, 868MHz, and 915MHz |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C2V4 |
|
|
KEEN SIDE
|
1 619
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
|
DT38-32.768KHZ |
|
|
KDS
|
|
|
|
|
|
|
DT38-32.768KHZ |
|
|
0.00
|
|
|
|
 |
 |
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
3 888
|
11.37
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
328
|
7.36
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
192
|
4.13
|
|
|
|
|
M95128-RMN6P |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M95128-RMN6P |
|
|
|
8
|
88.00
|
|
|
|
|
M95128-RMN6P |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M95128-RMN6P |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
M95128-RMN6P |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
389
|
|
|
|
|
|
M95128-RMN6P |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
683
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONS
|
62
|
196.31
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
|
4
|
52.00
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMI
|
|
|
|
Версия для печати
