| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
BM
|
|
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
|
1 120
|
24.05
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
HSM
|
|
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
KLS
|
11 200
|
16.53
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
NXU
|
3 520
|
15.50
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
КИТАЙ
|
80
|
17.18
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
RUICHI
|
36
|
6.00
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
KEEN SIDE
|
18 574
|
3.42
|
|
|
|
PLS-40 |
|
вилка штыревая 2.54мм 1х40 прямая
|
KEENSIDE
|
1
|
7.48
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
|
448
|
6.30
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
BM
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NXU
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NLT
|
80
|
3.76
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
КИТАЙ
|
145
|
9.30
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
RUICHI
|
1 391
|
12.46
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
|
237
|
12.60
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
DC COMPONENTS
|
8 246
|
1.49
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MIC
|
22 673
|
2.31
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
КИТАЙ
|
532
|
10.15
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
LGE
|
1 360
|
2.07
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
WUXI XUYANG
|
12 319
|
3.73
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
1
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KEEN SIDE
|
5 232
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
КР1533ЛА4 |
|
(SN74ALS10AN)
|
|
88
|
56.70
|
|
|
|
КР1533ЛА4 |
|
(SN74ALS10AN)
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА4 |
|
(SN74ALS10AN)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА4 |
|
(SN74ALS10AN)
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА4 |
|
(SN74ALS10AN)
|
ИНТЕГРАЛ
|
160
|
53.09
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
|
693
|
8.00
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
11.71
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
СВЕТЛАНА
|
20 890
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
РИГА
|
4 370
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
2076
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
26113
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
3429
|
|
|
|