MJD44H11G
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
Транзистор биполярный NPN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 85MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJD44H11 (Мощные биполярные транзисторы) SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS Также в этом файле: MJD44H11G
Производитель:
|
