BZX84-C2V4

Версия для печати

Технические характеристики BZX84-C2V4

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	2.4V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	50µA @ 1V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	250mW
Impedance (Max) (Zzt)	100 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DALC208SC6		ST MICROELECTRONICS	6 615	15.90
DALC208SC6			11	37.80
DALC208SC6		ST MICROELECTRONICS SEMI	1 072
DALC208SC6		STMicroelectronics
DALC208SC6		МАЛАЙЗИЯ
DALC208SC6		ST MICROELECTRO
DALC208SC6		1
DT38-32.768KHZ		KDS	152	9.49
DT38-32.768KHZ		0.00
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONS	136	237.64
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт		10	79.38
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	МАЛАЙЗИЯ
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMIC
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTO
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONSEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONSEMI
ЧИП 0603 510 5%		KOME
ЧИП 0603 510 5%		YAGEO
ЧИП 0603 620 5%		KOME
ЧИП 0603 620 5%		YAGEO