MJD44H11G
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
Транзистор биполярный NPN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 85MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJD44H11 (Мощные биполярные транзисторы) SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS Также в этом файле: MJD44H11G
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0896BM15A0001E | JOHANSON |
|
|
|||||
| 0896BM15A0001E | Johanson Technology Inc |
|
|
|||||
| 0896BM15A0001E |
|
|
||||||
| 0896BM15A0001E | JOHNSON ELECTRIC |
|
|
|||||
 |
 |
BC857,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BC857,215 |
|
NXP | 792 |
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
|
|
|
BC857,215 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BC857,215 |
|
NEXPERIA | 85 | 2.27 | ||
| IHLP2525CZER8R2M01 | VISHAY | 124 | 65.34 | |||||
| IHLP2525CZER8R2M01 | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| IHLP2525CZER8R2M01 |
|
|
||||||
| IHLP2525CZER8R2M01 | VISHAY |
|
|
|||||
 |
|
L-59SRSGC-CC |
|
Единичный светодиод | KB |
|
|
|
|
|
|
L-59SRSGC-CC |
|
Единичный светодиод | KINGBRIGHT |
|
|
|
|
|
|
L-59SRSGC-CC |
|
Единичный светодиод | KGB |
|
|
|
|
|
|
L-59SRSGC-CC |
|
Единичный светодиод |
|
13.00 | ||
 |
|
TS862IDT |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
TS862IDT |
|
ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
TS862IDT |
|
|
|
|||
|
|
|
TS862IDT |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 113 |
|
