TISP7180H3SL
|
Версия для печати
| Voltage - Breakover | 180V |
| Voltage - Off State | 145V |
| Voltage - On State | 5V |
| Current - Peak Pulse (8 x 20µs) | 350A |
| Current - Peak Pulse (10 x 1000µs) | 100A |
| Current - Hold (Ih) | 150mA |
| Число элементов | 3 |
| Емкость | 74pF |
| Корпус (размер) | Radial - 3 Leads |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФ 16В (4X5) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В |
|
13.60 | ||||
| 2SK2382 | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SK2382 |
|
|
||||||
| 2SK2382 | TOS |
|
|
|||||
 |
 |
MMBD352WT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
|
||||
 |
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) |
|
340.00 | ||
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 103 |
|
