GS1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
GS1G (DC COMPONENTS)	268 568	1.96 >100 шт. 0.98
GS1G	7 360	1.20
GS1G (YANGJIE)	20 000	1.23
GS1G (TRR)	11 200	1.26 >500 шт. 0.42

Версия для печати

Технические характеристики GS1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 400V
Diode Type	Standard
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

GS1x

LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

Также в этом файле: GS1G

Производитель:
Microsemi Corporation
//www.microsemi.com

GS1G datasheet
91.33Kb
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOSHIBA	80	128.83
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)		1	226.80
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOS
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	МАЛАЙЗИЯ
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	JAPAN
HGT1S20N60C3S		FAIR
KA79L24AZTA		SAMSUNG
KA79L24AZTA				10.40
KA79L24AZTA		SAM
KA79L24AZTA		4-7 НЕДЕЛЬ	344
STP8NA50		SGS
STP8NA50		ST MICROELECTRONICS
STP8NA50		SGS THOMSON
UCC2894DR				292.00
UCC2894DR		Texas Instruments
UCC2894DR		4-7 НЕДЕЛЬ	300