Версия для печати

2SK2545 (Полевые МОП транзисторы) Fet Silicon N Channel Mos Type(for High Speed, High Voltage Switching) Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 2SK2545 datasheet 287.46Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	SAMSUNG
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт		1	409.50
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	SAM
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	UNKNOWN
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт		1	409.50
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	FAIR
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	SAVANTIC
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	NO TRADEMARK
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	ISCSEMI
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	ST MICROELECTRONICS	2 832	165.31
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))			253.20
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	STMICROELECTRONICS
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	ST MICROELECTR
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	ФИЛИППИНЫ
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	STMICROELECTR	48	235.72
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	ST MICROELECTRONICS SEMI	283
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	YIXING
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	JSMICRO	359	144.25
		BTA41-600BRG		Симистор (триак) (Vdrm=600V(max), It=40A(RMS), Vtm=1.55V(max))	40
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	FAIR
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W			212.28
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	-
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	STMicroelectronics
		BU808DFI		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	КИТАЙ
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	NXP	3 336	8.95
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	PHILIPS	8 800	8.95
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	MOTOROLA
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A		6 132	2.87
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	MOTOROLA	480
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	PHILIPS
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	ON Semiconductor
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	МЕКСИКА
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	1
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	10000
		MAC97A8		Симистор 600В, 0.6A	4180
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	272	278.96
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"