GS1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
GS1G (DC COMPONENTS)	260 740	1.96 >100 шт. 0.98
GS1G	6 800	2.00 >100 шт. 1.00
GS1G (YANGJIE)	20 000	1.39
GS1G (TRR)	1 600	1.32 >500 шт. 0.44

Версия для печати

Технические характеристики GS1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 400V
Diode Type	Standard
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

GS1x

LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

Также в этом файле: GS1G

Производитель:
Microsemi Corporation
//www.microsemi.com

GS1G datasheet
91.33Kb
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BU808DFX	Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	ST MICROELECTRONICS
BU808DFX	Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	FAIR
BU808DFX	Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS			144.00
BU808DFX	Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	JOYVIRT
BU808DFX	Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	PMC
BU808DFX	Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	ST1
HGT1S20N60C3S		FAIR
STP8NA50		SGS
STP8NA50		ST MICROELECTRONICS
STP8NA50		SGS THOMSON
UC3854BN		TEXAS INSTRUMENTS	1	1 875.75
UC3854BN				690.32
UC3854BN		TEXAS
UC3854BN		4-7 НЕДЕЛЬ
UCC2894DR				292.00
UCC2894DR		Texas Instruments
UCC2894DR		4-7 НЕДЕЛЬ