PDTC124TT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTC124TT		2.36

Версия для печати

Технические характеристики PDTC124TT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	22K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DTA114EKAT146		ROHM	6 653	1.20
DTA114EKAT146				56.40
DTA114EKAT146		ROHM	82 047
DTA114EKAT146		Rohm Semiconductor
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NSC
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2			158.28
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	TEXAS INSTRUMENTS
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	TEXAS
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	4-7 НЕДЕЛЬ	194
PDTA114EE		PHILIPS
PDTA114EE				18.00
PDTA114EE		NXP
PDTA114EE		PHILIPS
PDTA114EU.115		NXP
PDTA114EU.115		NEX-NXP	1	3.57
PDTC124ET		PHILIPS
PDTC124ET		NXP
PDTC124ET				4.00
PDTC124ET		NXP	1 601
PDTC124ET		PHILIPS	17 454
PDTC124ET		1