PDTA114EE
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | SOT-416 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PDTA114EEF (Универсальные биполярные PNP транзисторы) PNP resistor-equipped transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B1100 | DIODES |
|
|
|||||
| B1100 | DIODES INC. | 88 |
|
|||||
| B1100 | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP | 9 600 |
|
|||||
| BAR63-02VE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BAR63-02VE6327 |
|
27.20 | ||||||
| BAR63-02VE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BBY57-02WE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BBY57-02WE6327 | INFINEON | 144 |
|
|||||
| BBY57-02WE6327 |
|
|
||||||
| BCV61C |
|
TRANSISTOR NPN DOUBLE | NXP |
|
|
|||
| BCV61C |
|
TRANSISTOR NPN DOUBLE | PHILIPS |
|
|
|||
| BCV61C |
|
TRANSISTOR NPN DOUBLE |
|
11.40 | ||||
| BCV61C |
|
TRANSISTOR NPN DOUBLE | NXP |
|
|
|||
| BCV61C |
|
TRANSISTOR NPN DOUBLE | PHILIPS |
|
|
|||
| PE4259 | PEREGRINE SEMI |
|
|
|||||
| PE4259 |
|
510.00 | ||||||
| PE4259 | PEREGRIN |
|
|
|||||
| PE4259 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 252 |
|
