DTA114EKAT146
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SMT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ЧИП 1206 150 1% |
|
ЧИП - резистор 150Ом, 1%, 0.25Вт | YAGEO |
|
|
||
|
|
ЧИП 1206 150 1% |
|
ЧИП - резистор 150Ом, 1%, 0.25Вт | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
| HU 2,54 MM AWG26 0,3M WHITE | 3 908 | 3.40 | ||||||
| HU-3КОМПЛЕКТ | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| R1206-100 ОМ-5% | 4 021 | 1.85 | ||||||
| ЧИП 1206 56 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| ЧИП 1206 56 5% | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
