| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
6.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
301 416
|
1.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
75 697
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
52 951
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
597 943
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
222 419
|
1.23
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 378
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 916 894
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
776 976
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
177 231
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
96 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
588
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
200 484
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
376 919
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
80
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
80
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
1
|
1.54
|
|
|
|
|
BCR148E6327 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCR148E6327 |
|
|
INFINEON
|
11 140
|
|
|
|
|
|
BCR148E6327 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NEX-NXP
|
2
|
3.11
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
|
|
|
|
|
|
|
PMBD353 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PMBD353 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PMBD353 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PMBD353 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
2 620
|
7.36
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
|
38 792
|
3.24
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
472
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LF
|
4 678
|
14.84
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
JJM
|
22 816
|
4.80
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
KLS
|
3 703
|
8.04
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
73 818
|
1.80
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
32
|
4.13
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YJ
|
72 089
|
3.91
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
4 800
|
3.39
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
VISHAY
|
35 200
|
8.82
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TRR
|
2 400
|
3.28
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ELECSUPER
|
63
|
2.99
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
10 592
|
1.72
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
15 937
|
2.34
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
5848
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
6
|
80
|
12.63
|
|