PDTA114EE

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTA114EE		18.00

Версия для печати

Технические характеристики PDTA114EE

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	150mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-75, SOT-416
Корпус	SOT-416

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTA114EEF (Универсальные биполярные PNP транзисторы)

PNP resistor-equipped transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTA114EE datasheet
56.86Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAR63-02VE6327		INFINEON
BAR63-02VE6327				27.20
BAR63-02VE6327		INFINEON
DTA114EKAT146		ROHM	8 537	1.23
DTA114EKAT146				56.40
DTA114EKAT146		ROHM	82 047
DTA114EKAT146		Rohm Semiconductor
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NSC
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2			158.28
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	TEXAS INSTRUMENTS
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	TEXAS
LM317HVT	Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2	4-7 НЕДЕЛЬ	194
PDTA114EU.115		NXP
PDTA114EU.115		NEX-NXP	1	2.29
PDTC124TT		NXP
PDTC124TT				2.36