МЛТ - 0.5 ВТ 100 ОМ 10%
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 400 | 12.88 | ||
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ | 2 475 | 14.52 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 2 740 | 16.80 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК | 1 398 | 15.75 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| МЛТ - 0.25 ВТ 1.2 КОМ 5% |
|
|
||||||
| МЛТ - 0.5 ВТ 5.6 КОМ 10% | 6 480 | 1.34 | ||||||
| МЛТ - 2 ВТ 13 КОМ 5% | 360 | 5.04 | ||||||
| ТН 0.2-2 (РЕЗЬБА Ц.E10/13) |
|
|
