МЛТ-1-4,7 ОМ-5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		514	13.62
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	80	16.40
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 272	16.96
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	9.23
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4
КТ361Д1			12 745	1.85
КТ361Д1		RUS
КТ361Д1		ТОМСК
МЛТ - 0.5 ВТ 100 ОМ 10%			9 948	1.34
МЛТ - 2 ВТ 13 КОМ 5%			288	5.04
МЛТ - 2 ВТ 6.2 КОМ 10%			1 692	4.70