| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1Т 308 В |
|
Транзисторы ВЧ малой мощности германиевые структуры p-n-p универсальные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
 |
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
1 673
|
56.70
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 526
|
63.00
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
203
|
76.80
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 250 В
|
|
|
7.08
|
|
|
|
|
К73-17-250-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 250 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 250 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-1 10% |
|
Комбинированный конденсатор 10%, 1 мкФ, 250 В
|
|
|
16.72
|
|
|
|
|
К73-17-250-1 10% |
|
Комбинированный конденсатор 10%, 1 мкФ, 250 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-1 10% |
|
Комбинированный конденсатор 10%, 1 мкФ, 250 В
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-1 10% |
|
Комбинированный конденсатор 10%, 1 мкФ, 250 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-1 10% |
|
Комбинированный конденсатор 10%, 1 мкФ, 250 В
|
ПРОМТЕЗКЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-250-1 10% |
|
Комбинированный конденсатор 10%, 1 мкФ, 250 В
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
|
РЭС55А.0601 |
|
|
|
12
|
134.25
|
|
Версия для печати
