МЛТ - 0.5 ВТ 1.0 КОМ 10%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МЛТ - 0.5 ВТ 1.0 КОМ 10%	12 458	1.34

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
16K1 F 1K	Потенциометр 1 кОм, 300 °, 0,125Вт
16K1 F 1K	Потенциометр 1 кОм, 300 °, 0,125Вт	RUICHI
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА		11 280	3.72
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	ТОМИЛИНО
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	RUS
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	СЗТП
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	РОССИЯ
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		800	16.38
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	532	14.84
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ	3 395	3.58
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	4 908	5.37
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	766	7.16
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ДАЛЕКС
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	196
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	4264
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	6178
КТ503В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	762
МЛТ - 0.5 ВТ 1.8 КОМ 10%			208	1.34
МЛТ-0,5-10 КОМ-5%			148	10.08