| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Корпус | DO-35 |
| Корпус (размер) | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Diode Type | Standard |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 75V |
| Product Change Notification | Marking Format Change 15/Aug/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104LF |
|
Потенциометр 100 кОм
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
5.90
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
278 414
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
56 845
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
52 951
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
792 049
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
185 422
|
1.13
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 369
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 897 078
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
616 269
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
159 756
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
300 000
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
582
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
10 784
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
184 012
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
342 755
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
|
2 400
|
3.19
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
FAIRCHILD
|
1 500
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
P6KE20CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 600Вт корпус DO-15 20в
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
КТ233А9 |
|
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
21.08
|
|
|
|
|
КТ233А9 |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ233А9 |
|
|
|
10
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
5 796
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
17 945
|
50.88
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 360
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|