MMBT3906WT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBT3906WT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	5 720	3-4 недели Цена по запросу
MMBT3906WT1G (ONS)	10 839	4.72

Версия для печати

Технические характеристики MMBT3906WT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V
Power - Max	150mW
Frequency - Transition	250MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.