Версия для печати
Технические характеристики MJD122T4G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 4A, 4V
Power - Max	1.75W
Frequency - Transition	4MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	FAIR
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	PHILIPS
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	NXP	4 283	16.80
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ			24.00
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	NXP	160
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	PHILIPS	35
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	МАРОККО
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	КИТАЙ
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	TEXAS INSTRUMENTS
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	NEXPERIA
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	HTC TAEJIN
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	HTC	1 124	23.60
		74HC00D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ	4-7 НЕДЕЛЬ	331
		BMP280 I2C OR SPI BAROMETRIC PRESSURE & ALTITUDE SENSOR			ADAFRUIT
		LM2931ADT50R			ST MICROELECTRONICS
		LM2931ADT50R
		LM2931ADT50R			STMicroelectronics
		LM2931ADT50R			4-7 НЕДЕЛЬ	540
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS	34 556	4.21
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		47 136	2.33
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	9 240	6.20
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		5 913	2.62
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	7 897	3.79
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	26 450	2.58
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	11 412	2.63
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	336

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"