MJD122T4G
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT45DB321B-CC | ATMEL |
|
|
|||||
| AT45DB321B-CC | ATMEL CORPORATION |
|
|
|||||
 |
BZX84-C6V8 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZX84-C6V8 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX84-C6V8 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZX84-C6V8 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX84-C6V8 | PHILIPS SEMIC |
|
|
||||
|
|
BZX84-C6V8 | NEX-NXP | 56 | 4.13 | ||||
 |
|
BZX84-C12.215 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт | NXP |
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12.215 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт | NEX-NXP |
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12.215 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт | NEXPERIA |
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12.215 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт |
|
|
||
| IRF9Z24S | VISHAY |
|
|
|||||
| IRF9Z24S | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| IRF9Z24S |
|
|
||||||
| SJ035M0470B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В | YAGEO |
|
|
|||
| SJ035M0470B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SJ035M0470B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 35 В |
|
|
