| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
BOURNS
|
744
|
100.22
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
|
|
102.24
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-103E |
|
Подстроечный резистор 10кОм
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.70
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
83 184
|
1.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
325
|
2.00
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
1 485
|
2.26
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 575
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.61
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.32
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
67 423
|
1.16
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
72 442
|
1.18
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
13 437
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
64
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
BC857B,215 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BC857B,215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B,215 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
BC857B,215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BC857B,215 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC857B,215 |
|
|
NEX-NXP
|
60
|
3.10
|
|
|
|
BC857B,215 |
|
|
NEXPERIA
|
774
|
1.88
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
|
39 609
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
HOTTECH
|
6 084
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
SEMTECH
|
13
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
KLS
|
4
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
KUU
|
21 544
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BZV55C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
YAGEO
|
224 003
|
1.03
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
|
|
12.00
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KRX7R9BB104 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206
|
YAGEO
|
2 369
|
|
|