| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.70
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
83 184
|
1.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
325
|
2.14
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
4 093
|
2.32
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
385
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.77
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.41
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
82 439
|
1.22
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
13 670
|
2.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
22 788
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
64
|
1.03
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
68
|
1.11
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
1
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
8
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BZV55-C5V6.115 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6.115 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NEX-NXP
|
122
|
2.24
|
|
|
|
BZV55-C5V6.115 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
|
13 460
|
7.85
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
304
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
INFINEON
|
26 482
|
12.40
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF |
|
Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
MF-R040 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 60V 0,4A
|
BOURNS
|
2 187
|
16.53
|
|
|
|
MF-R040 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 60V 0,4A
|
|
|
|
|
|
|
MF-R040 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 60V 0,4A
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
MF-R040 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 60V 0,4A
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
MF-R040 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 60V 0,4A
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
MF-R040 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 60V 0,4A
|
25
|
1
|
9.60
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2
|
87.10
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
53.88
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
|
5
|
183.15
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3842AN |
|
ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
694
|
|
|