Версия для печати
Технические характеристики BD681

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD670 (Биполярные транзисторы Дарлингтона) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Также в этом файле: BD681 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD681 datasheet 90.18Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR
		2N6039
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR	692
		2N6039			STMicroelectronics
		2N6039			ST MICROELECTRO
		2N6039			ST MICROELECTRONICS
		2N6039			ISCSEMI
		2N6039			КИТАЙ
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W			48.44
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS THOMSON
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRO
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ON SEMICONDUCTOR
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS
		MJE802		Транзистор биполярный составной			91.12
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE802		Транзистор биполярный составной	STMicroelectronics
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ		296	46.00
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМНИЙ	160	69.49
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	БРЯНСК	1 033	74.20
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	УЛЬЯНОВСК
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ФРЯЗИНО
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	RUS
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬТАВ
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМН
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬДАГ
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	11
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	2798

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DC COMPONENTS	209 855	2.32
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	DIOTEC	13	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт		36 109	1.29  >500 шт.   0.43
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	VISHAY
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	UTC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRONICS
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KINGTRON
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TSC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YJ	681 140	2.67
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	HOTTECH	124 817	1.20  >100 шт.   0.60
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	YANGJIE (YJ)
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	0.00
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KLS	14 400	2.07
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSCJ	210 360	1.23
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	1
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JINGDAO
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MDD	72 170	0.93  >500 шт.   0.31
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	JSMICRO	65 224	1.60  >100 шт.   0.80
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	XXW	43 429	1.17  >500 шт.   0.39
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	KEEN SIDE	78	1.32  >500 шт.   0.44
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	MERRYELC
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	ST MICROELECTRONICS	64	1.03
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	988
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	RUME	38 400	1.05  >500 шт.   0.35
		1N4148W		кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт	TRR	235 196	1.17  >500 шт.   0.39
		32.768 КГЦ 12.5PF
		32.768 КГЦ 12.5PF			TAIZHOU
		32.768 КГЦ 12.5PF			КИТАЙ
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	FAI/QTC
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	FAIR
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	GENERAL INSTRUMENT
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	INFINEON
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	OPTEK
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	Q TECH
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	VISHAY
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	FAIRCHILD
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	FAIRCHILD
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	INFINEON
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	Q TECH INC.
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	Vishay/Semiconductors
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	Fairchild Optoelectronics Group
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	SIEMENS
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%		6	42.84
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	4-7 НЕДЕЛЬ	637
		4N28		Опто транзистор 5,3кВ Vio=500В 70В ктп >10%	LIT
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	FAI/QTC
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRONICS	1	56.40
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ON SEMICONDUCTOR
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	FSC
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)			30.32
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ON SEMICONDUCTOR	44
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	STMicroelectronics
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	КИТАЙ
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ФИЛИППИНЫ
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRO
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	TOSHIBA
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%			56.36
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	TOS
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	TEXAS INSTRUMENTS
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	ТАИЛАНД
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	ISO
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	ISOCOM

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"