BC817-40LT1
Транзистор биполярный SMD
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BC817-40LT1 (Универсальные биполярные транзисторы) General Purpose Transistors NPN Silicon Также в этом файле: BC817-40LT1G, SBC817-40LT1
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2512-3.9К 5% |
|
ЧИП — резистор |
|
2.80 | ||||
 |
BC807-25LT1 |
|
Транзистор биполярный SMD | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
BC807-25LT1 |
|
Транзистор биполярный SMD |
|
2.12 | |||
|
|
BC807-25LT1 |
|
Транзистор биполярный SMD | ON SEMICONDUCTOR | 2 887 |
|
||
|
|
BC807-25LT1 |
|
Транзистор биполярный SMD | ONS | 14 400 | 3.23 | ||
| INF8582EN-2 |
|
|
||||||
| INF8582EN-2 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| INF8582EN-2 | МИНСК | 707 | 106.00 | |||||
| INF8582EN-2 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 63 |
|
|||||
| INF8582EN-2 | 346 |
|
|
|||||
| INF8582EN-2 | 539 |
|
|
|||||
| К73-17 0,33М 630В 10% |
|
|
||||||
| КД134ВС9 | ПЛАНЕТА | 10 985 | 6.36 | |||||
| КД134ВС9 |
|
24.00 | ||||||
| КД134ВС9 | 13732 |
|
|
