Версия для печати
Технические характеристики BC807-25LT1

Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

BC807-25LT1 (Универсальные биполярные транзисторы) General Purpose Transistors PNP Silicon Также в этом файле: BC807-25LT1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com BC807-25LT1 datasheet 62.8Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FAI/QTC
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	SIEMENS
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	LITE-ON	14	14.82
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FSC
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FAIR
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	LIT	2 080	8.25
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	AVAGO
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	VISHAY
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FAIRCHILD
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FAIRCHILD
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	Lite-On Inc
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	Vishay/Semiconductors
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	Fairchild Optoelectronics Group
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	Avago Technologies US Inc
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	EVLT
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	EVERLIGH
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	EVERLIGHT	365	14.40
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA		83	40.32
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	CT-MICRO	5 273	9.97
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	0.00
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	1
		BYS10-45-E3/TR		Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс	VISHAY	2 640	9.40
		BYS10-45-E3/TR		Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс	Vishay/General Semiconductor
		BYS10-45-E3/TR		Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	DC COMPONENTS	8 362	5.82
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	MIC
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1		5 560	2.87
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	Diodes Inc
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	Micro Commercial Co
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	KINGTRON
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	КИТАЙ
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	KINGTRONICS
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YJ	15 200	7.23
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	HOTTECH	512	6.20
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YANGJIE
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	YANGJIE (YJ)
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	SEP
		DB104		Диодный мост 1А, 400В, DB-1	272
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	DC COMPONENTS	12 876	8.03
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	PANJIT
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт		12 273	1.27
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	PANJIT
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	MIC
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	YJ
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	КИТАЙ
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	HOTTECH	7 038	3.33
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	YANGJIE
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	1
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	KEEN SIDE	487	1.60
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"