| Корпус | SOT-23-3 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
VISHAY
|
2 640
|
8.25
|
|
|
|
|
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
7 877
|
3.48
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
|
12 553
|
1.68
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
HOTTECH
|
8 784
|
2.82
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
DL4746A |
|
Стабилитрон SMD 18В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
1 023
|
1.37
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
81.20
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
15
|
79.55
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
10 768
|
12.96
|
|
|
|
|
PC817D (LTV817D) |
|
|
LITE-ON
|
|
|
|
Версия для печати
