Версия для печати
Технические характеристики BC807-25LT1

Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

BC807-25LT1 (Универсальные биполярные транзисторы) General Purpose Transistors PNP Silicon Также в этом файле: BC807-25LT1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com BC807-25LT1 datasheet 62.8Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BYS10-45-E3/TR		Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс	VISHAY	7 295	8.44
		BYS10-45-E3/TR		Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс	Vishay/General Semiconductor
		BYS10-45-E3/TR		Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
		BZV85-C5V1		Стабилитpон 5.1V, 1.3W	PHILIPS
		BZV85-C5V1		Стабилитpон 5.1V, 1.3W	NXP
		BZV85-C5V1		Стабилитpон 5.1V, 1.3W
		BZV85-C5V1		Стабилитpон 5.1V, 1.3W	NXP	18 012
		BZV85-C5V1		Стабилитpон 5.1V, 1.3W	PHILIPS
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	DC COMPONENTS	17 820	5.24
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	PANJIT
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт		13 473	1.65
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	PANJIT
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	MIC
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	YJ
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	КИТАЙ
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	HOTTECH	8 536	5.43
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	YANGJIE
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		DL4746A		Стабилитрон SMD 18В, 1Вт	1
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MASTER INSTRUMENT CO
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	DC COMPONENTS	12 380	30.52
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MCC
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка		6 653	12.40
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MIC	2 311	24.51
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	КИТАЙ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YJ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY ME	37	26.86
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	KLS
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	WUXI XUYANG
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	HOTTECH	7 783	21.74
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	SEP	1 498	23.91
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YANGJIE	39 040	28.80
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	RUME

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"