FGA25N120ANTD


IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А

Купить FGA25N120ANTD по цене 480.00 руб.  (без НДС 20%)
FGA25N120ANTD Тип транзистора DIGB Полярность  N...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
FGA25N120ANTD цена радиодетали 480.00 

Тип транзистора DIGB
Полярность  N Канал
Постоянный ток коллектора  50A
Рассеиваемая мощность Pd 312W
Напряженеи коллетор эмиттер V(br)ceo 1.2kV
Рабочая температура  -55°C  150°C
Корпус TO-3
Ток коллетора (+150 С)  25A
Ток коллетора макс. (25 С)  50A
Rise Time 50ns
Версия для печати

Технические характеристики FGA25N120ANTD

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
IGBT TypeNPT and Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max)50A
Power - Max312W
Тип входаStandard
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-3P-3, SC-65-3
КорпусTO-3P
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FGA25N120ANTD

1200V NPT Trench IGBT

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FGA25N120ANTD datasheet
866.59Kb
9стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
ATMEGA168-20PU AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V   ATMEL Заказ радиодеталей цена радиодетали
ATMEGA168-20PU AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V     1 1 360.80 
ATMEGA168-20PU AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
ATMEGA168-20PU AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V   MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
ATMEGA168-20PU AVR 16K-Flash/1K-RAM/512-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=2,7..5,5V   4-7 НЕДЕЛЬ 252 цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   DIODES Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...     9 642 4.96 
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   DC COMPONENTS 16 729 6.61 
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   MIC 3 275 15.10 
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   MASTERCHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   YJ 16 709 14.16 
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   KINGTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   GALAXY ME 53 6.39 
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   SUNTAN 5 344 8.90 
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   YANGJIE 19 200 7.62 
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   WUXI XUYANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
HER308 Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W     2 226.80 
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ICE3B0365J SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W   4-7 НЕДЕЛЬ 493 цена радиодетали
    IRFP260MPBF     INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    IRFP260MPBF     INFINEON 157 220.70 
    IRFP260MPBF       Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLP250 Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLP250 Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ   TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLP250 Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ     Заказ радиодеталей 151.08 
TLP250 Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLP250 Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLP250 Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ   FCS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход