Версия для печати
Технические характеристики FGA25N120ANTD

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT and Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max)	50A
Power - Max	312W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P-3, SC-65-3
Корпус	TO-3P

FGA25N120ANTD 1200V NPT Trench IGBT Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FGA25N120ANTD datasheet 866.59Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	DIODES
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...		7 002	4.11
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	DC COMPONENTS	9 488	10.37
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	MIC	27 113	8.09
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	GALAXY
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	MASTERCHIP
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	YJ	33 986	5.24
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	КИТАЙ
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	KINGTRONICS
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	GALAXY ME
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	KLS
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	SUNTAN	2 873	6.40
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	YANGJIE	16 560	6.88
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	YANGJIE (YJ)
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	WUXI XUYANG
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	1
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	YANGZHOU YANGJIE
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	KEEN SIDE	44	3.44
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	MERRYELC
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	234
		HER308		Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...	RUME	4 800	4.88
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIR
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FSC
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ГОНКОНГ
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS	4	60.32
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS-FAIR
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...		1 136	40.66
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ON SEMICONDUCTOR
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	0.00
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	YOUTAI	10 396	19.70
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW-YOUTAI
		STGP14NC60KD		Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания	ST MICROELECTRONICS
		STGP14NC60KD		Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания	STMicroelectronics
		STGP14NC60KD		Igbt-транзистор на 600 в, 14 а с усиленной защитой от короткого замыкания
		TLP250		Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	TOSHIBA
		TLP250		Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	TOS
		TLP250		Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ			151.08
		TLP250		Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	TOSHIBA
		TLP250		Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	КИТАЙ
		TLP250		Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ	FCS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		403	27.60
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	800	32.79
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 041	32.22
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2159

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"