IRGP20B120UD-EP
IGBT 1200В 20А 5-40кГц
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.85V @ 15V, 40A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Power - Max | 300W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AD) |
| Корпус | TO-247AD |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | INTERNATIONAL RECTIFIER | 80 | 132.30 | |
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | 1 | 202.86 | ||
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | INFINEON |
|
|
|
 |
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | TOS |
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ |
|
151.08 | ||
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | FCS |
|
|
|
| К73-9-0.1МКФ 100В (10%) |
|
|
